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    從PCIM Asia 2021看電力電子技術市場的發展

    荷葉塘 ? 2021-09-12 07:22 ? 次閱讀
    (文/程文智)PCIM Asia自2002年進入中國市場后,到今年已經有20年了,以前該展會都是在上海舉辦,今年首次來到了深圳。一直以來,這個展會的規模都不算大,但是比較聚焦,電力電子行業的頭部企業基本都在,比如英飛凌、羅姆、三菱電機、塞米控、富士電機、東芝、日立、中國中車等。

    既然來到了深圳,<電子發燒友>豈能錯過。今天我們就來聊一聊逛展的一些感受。

    SiC產品成焦點,但普及之路還比較遠
    在展會上,不少企業都帶來了SiC相關的產品和技術,比如英飛凌、三菱電機、羅姆、東芝、中國中車、比亞迪半導體、PI、派恩杰半導體等廠商都展示了其最新的SiC產品。

    其中碳化硅SBD產品大部分廠商都已經量產,而且不少廠商推出了大功率器件SiC混合模塊,將SiC SBD芯片與IGBT芯片集成在了一起,這樣可以利用SiC SBD芯片的快速反向恢復和低損耗的特性,增強IGBT的性能,同時降低模塊的大小。

    <電子發燒友>在展會上看到東芝和英飛凌都推出SiC混合模塊產品,據展臺人員介紹,該類產品已經在電力機車方面有使用。不過業內人士也透露,此類產品在國內的推廣效果并不理想,因為國內廠商對這種折衷方案并不是太認可,國內廠商更希望要么是最新進的方案,要么是成本更低的方案,因此,SiC混合模塊只能作為是一個過渡型產品來推廣,未來應該會過渡到SiC MOSFET上去。

    圖:東芝展示的不同額定電壓的SiC MOSFET產品(來源:程文智拍攝)

    展會上,我們看到了不少展商展出的全SiC MOSFET產品,比如東芝的3300V,800A雙管碳化硅MOSFET模塊,后續還會開發1700V和1200V的相關產品。

    圖:三菱電機展示的全SiC高壓MOSFET產品

    三菱電機也展示了其3300V的SiC MOSFET產品和解決方案,據介紹他們的3300V全SiC高壓MOSFET已經實現了量產,6500V的產品也正在開發當中。

    圖:英飛凌展示的SiC相關產品

    英飛凌則展示了IM828-XCC SiC IPM特性的8千瓦電機驅動設計板、1200V CoolSiC碳化硅MOSFET雙脈沖評估平臺、1700V SiC MOSFET 62W輔助電源評估板、650V/1200V CoolSiC MOSFET以及 IM828XCCXKMA1智能功率模塊SiC IPM等多種SiC相關產品和解決方案。

    雖然SiC產品推出的不少,但其實目前市場的響應還不太熱烈。SiC SBD產品目前的市場接受度勉強還行,因為由于使用的人越來越多,成本能夠做到普通MOSFET產品的3倍左右。而對于全SiC MOSFET而言,目前真正使用得還不多,因為成本確實太高。

    有業內人士向<電子發燒友>透露,SiC MOSFET產品的真正使用其實是在特斯拉Model 3使用之后,現在隨著用量的增加,成本有所降低,但離市場的預期還有一定的距離。市場對全SiC MOSFET的價格接受度在IGBT或MOSFET模塊價格的5倍左右,而現在全SiC MOSFET的價格是后者的10倍以上。

    成本偏高的原因,一是SiC本身的特性,它本身的硬度比較大,切割不容易,目前一塊4英寸的晶圓大概只能切割出50片左右的SiC MOSET?,F在SiC的產線普遍在4寸和6寸,8寸的產線現在還不多。

    二是SiC MOSFET產品的良率目前普遍不高,良率不高成本自然就難降下來。

    歐美廠商人氣旺,國內企業參展數增多
    本次展會上人氣最旺的展商莫過于英飛凌,他們展示的產品和解決方案也多,其次是日本的歐姆,三菱電機等,他們是電力電子行業的老玩家,擁有的產品線也足夠豐富,客戶也多。很多人都愿意去看他們的新產品和新技術。

    但今年跟往年不同的是國內的參展企業變得更多了。據一些參展商介紹,他們參展多年,以前除了中國中車這類國有不差錢的企業,很少見到國內電力電子企業參展,但這幾年國內的參展企業明顯增多了。

    比如比亞迪半導體就展示了其IGBT和SiC產品,他們家的SiC產品目前只供自身車輛,計劃明年可向其他企業供貨。

    還有宏微科技、賽晶科技、麗晶美能、愛微、青銅劍技術、蘇州華太、派恩杰等國內企業也展示了其IGBT和SiC相關產品。

    電力電子發展趨勢
    從各家展示的產品和解決方案可以看出,電力電子技術在往高頻化、高效率、智能化和低成本方向發展。其中高頻化不僅可以讓電力電子器件本身的體積更小,還可以減少磁性元件,讓磁性元件的體積更小,從而使整體系統的體積變??;高效率就是要提升能源的利用效率,減少排放,同時更有利于設備的散熱優化;智能化方面,是因為以后所有的物品都可能會連接在一起,組成龐大的物聯網絡,那么能源的數字化定然是未來趨勢;除了這些,低成本也是很重要的,只有降低系統的成本,才能增加企業的競爭力。

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    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 19:02 ? 175次 閱讀

    FFSH2065ADN SiC二極管 650V 20A TO-247-3 共陰極

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 18:02 ? 268次 閱讀

    FFSH10120A SiC二極管 1200V 10A TO-247-2

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 最高結溫175°C 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 18:02 ? 254次 閱讀

    FFSH30120A SiC二極管 1200V 30A TO-247-2

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 正溫度系數 易于并行 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 17:02 ? 194次 閱讀

    FFSH2065A SiC二極管 - 650 V 20 A.

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 17:02 ? 209次 閱讀

    FFSH1665ADN SiC二極管 650V 16A TO-247-3 共陰極

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 16:02 ? 143次 閱讀

    FFSD0665A SiC二極管 - 650V 6A DPAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 16:02 ? 138次 閱讀

    FFSD0865A SiC二極管 - 650V 8A DPAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 16:02 ? 202次 閱讀

    FFSD0465A SiC二極管 - 650V 4A DPAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 15:02 ? 95次 閱讀

    FFSB10120A SiC二極管 1200V 10A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 無逆向恢復/無正向恢復 易于并行 高浪涌電流容量 正溫度系數 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 15:02 ? 123次 閱讀

    FFSB20120A SiC二極管 1200V 20A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,與硅相比,可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。沒有反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及降低的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 雪崩額定200 mJ 高浪涌電流容量 正溫度系數 易于平行 無逆向恢復/無正向恢復 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 15:02 ? 119次 閱讀

    FFSD1065A SiC二極管 - 650V 10A DPAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 14:02 ? 111次 閱讀

    FFSH1665A SiC二極管 - 650 V 16 A.

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI以及更小的系統尺寸和成本。 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 14:02 ? 150次 閱讀

    FFSB1065A SiC二極管 - 650V 10A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 14:02 ? 141次 閱讀

    FFSB0465A SiC二極管 - 650V 4A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 13:02 ? 92次 閱讀

    FFSB0865A SiC二極管 - 650V 8A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 13:02 ? 120次 閱讀

    FFSM0465A SiC二極管 - 650V 4A PQFN88

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 12:02 ? 146次 閱讀

    FFSB1265A SiC二極管 - 650V 12A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 12:02 ? 224次 閱讀

    FFSB0665A SiC二極管 - 650V 6A D2PAK

    硅(SiC)肖特基二極管采用全新技術,可為硅提供卓越的開關性能和更高的可靠性。無反向恢復電流,溫度獨立開關特性和出色的熱性能使碳化硅成為下一代功率半導體。系統優勢包括最高效率,更快的工作頻率,更高的功率密度,更低的EMI,以及更小的系統尺寸和成本。 Llew 特性 最高結溫175°C 高浪涌電流容量 正溫度系數 無逆向恢復/無正向恢復 應用 PFC 工業電源 太陽能 EV充電器 UPS 焊接 電路圖、引腳圖和封裝圖...
    發表于 08-04 12:02 ? 152次 閱讀